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采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
总结了led灯座规格标准常识：e27、e40、e14的基本解释；
https://www.alighting.cn/resource/20101104/128233.htm2010/11/4 10:51:31
5 、rx7s 、pAR30、pAR20、mr16、mr11、AR111、AR80、AR70、plc、g6.35 、g5.3、g4)；3、不同的反射器配光(10°、24°、45°)；
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/23/153631_03.htm2011/9/23 15:36:31
运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术 (atr-ftir) ,研究了 si(1 1 1 )在不同比例的 nh4f-hcl溶液中腐蚀后的表面形态。通过分析表面振动模型的偏振波长及
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:03:59
常见光源包括mr16、mr11、cdm-t、cdm-tc、qr111、pAR30l、pAR20l、pAR30s、cdm-tm等的配光曲线参数一览。
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/2/15377_86.htm2012/3/2 15:37:07
采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在si(100)、(111)衬底上成功生长了inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
低气压汞放电原理已证明，充人适量的隋性气体，有利于放电的建立和维持。以低气压汞放电荧光灯(t12～t5)为例，无一例外充人适量的隋性气体----氩AR，氩在荧光灯中的作用：
https://www.alighting.cn/resource/2009226/V756.htm2009/2/26 13:25:28
通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜11
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
用脉冲激光沉积(pld)方法在si(111)和蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜,在不同的退火温度和不同的退火氛围中进行了退火处理.退火温度及退火氛围对zno薄膜的结构和发光特性的影响
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53
