生长温度对Si衬底ZnO薄膜结构的影响
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上传人：于元勋、魏显起、满宝元 上传时间： 2013-05-15 浏览次数： 45 |
| 作者 | 于元勋、魏显起、满宝元 |
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| 单位 | 山东教育学院、山东师范大学 |
| 分类号 | O484.1 |
| 发表刊物 | 《山东教育学院学报》 |
| 发布时间 | 2006年 |
摘要：通过脉冲激光沉积方法在1.3Pa氧氛围,100-500℃衬底温度,Si(111)衬底上成功地制备了ZnO薄膜,我们用X射线衍射(XRD)谱,原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些ZnO薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均匀。
1引言ZnO是一种重要的Ⅱ-Ⅳ族半导体材料,在许多短波光电子器件如发光材料,传感器,声表面波装置,薄膜气体传感器,紫外激光,变阻器和太阳能电池等方面有广阔的应用。制备ZnO薄膜有多种方法,包括:激光分子束外延(LMBE);热解;反应热蒸发;溅射和脉冲激光沉积(PLD)[1-3]等。在这些
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