(B) 专利名称：发光元件以及显示器的制作方法

　　公告号：TW I590433

　　这件台工研院的专利也是有关Micro LED的制造技术，但其方法与上一篇截然不同。首先，在基板上形成LED阵列，其中半导体磊晶结构、第一电极以及第二电极构成发光二极管芯片，而发光元件包含发光二极管芯片及球状延伸电极，完成后将发光元件从基板移除

　　接着透过喷嘴将发光元件喷出，借由发光元件与喷嘴的磨擦，使球状延伸电极带有静电电荷，而接收基板的接点则透过电路结构传送电讯号使其亦带有静电电荷，在说明书的实施例中球状延伸电极带有正电荷而接点则带有负电荷。

　　如图4所示，透过例如摇筛的方式，使发光元件落入接收基板的开孔中，由于球状延伸电极的体积大于发光二极管芯片的体积，因此在落下的过程中，发光元件的球状延伸电极转向下落入孔中与皆点接触。

　　图4. 专利TW I590433之图P、S、T(图片来源：TIPO)

　　 - Apple (LuxVue)

　　LuxVue在2014被Apple并购，其所拥有的Micro LED相关专利是众家厂商中最多的，在转移技术上其主要是采用静电吸附的巨量转移技术。

　　专利名称：Micro device transfer head array

　　公告号：US 9548233 B2

　　为了达到更好的转移效率，使用巨量转移技术的厂商不断开发出各式各样的转移头，而Apple这篇专利的特殊之处在于其转移头具有双极的结构，可以分别施予正负电压。

　　转移头的平台结构被介电层对半分离形成一对硅电极，当要抓取基板上的LED时，对一硅电极通正电，对另一硅电极通负电即可将目标LED拾取。

　　图5. US 9548233的Figs. 1B, 34, 35(图片来源：USPTO)

　　- X-Celeprint

　　专利名称：Micro device transfer head array

　　公开号：US 2017-0048976 A1

　　X-Celeprint的巨量转移技术Micro-Transfer-Printing (μTP)是用压印头在LED上施压，利用凡得瓦力让LED附着在压印头上后，再从来源基板上将其拾取，移至目标基板上的预定位置上后，压印头连同LED压向目标基板，使LED上的连接柱插入背板接触垫后完成LED转移。

　　图6. 专利US2017-0048976之Figs. 5-6(图片来源：USPTO)