国际第三代半导体论坛
International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China(IFWS)
2017年11月1-3日
中国·北京·首都机场希尔顿酒店
2017国际第三代半导体论坛是第三代半导体产业在中国地区的年度盛会，是全球性、高层次的综合性论坛。本届会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟和中关村科技园区顺义园管理委员会主办，得到科技部，发改委，工信部，北京政府等相关部门大力支持。
会议以促进第三代半导体与电力电子技术、移动通信技术、紫外探测技术和应用的国际交流与合作，引领第三代半导体新兴产业的发展方向为活动宗旨，全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台。
大会主席
Umesh K. MISHRA——美国国家工程院院士、Transphorm 的联合创始人
美国加州大学圣巴巴拉分校杰出教授
曹健林--中华人民共和国科学技术部原副部长
技术程序委员会
主任
郑有炓--南京大学教授、中科院院士
副主任
刘 明--中科院微电子所教授、中国科学院院士
张 荣--山东大学校长、南京大学教授
陈 敬--香港科技大学教授
邱宇峰--国家电网智能研究院副院长
张国义--北京大学物理学院教授、北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任
沈 波--北京大学理学部副主任、教授
主办单位
第三代半导体产业技术创新战略联盟
中关村科技园区顺义园管理委员会
支持单位
国家科学技术部
国家发展与改革委员会
国家工业与信息产业部
北京市人民政府
协办单位
首都创新大联盟
国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)
国际半导体照明联盟(ISA)
中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会
中国电子学会电子材料分会
中国电力电子行业协会
中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟
SEMI
中国照明学会
中国智能家居产业联盟
中国可再生能源学会
能源互联网联盟
TD产业技术创新战略联盟
中国智慧城市产业技术创新战略联盟
论坛长期与IEEE合作。投稿给SSLCHINA的优质论文，会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表征文重点内容
S1: 碳化硅材料与器件
碳化硅电力电子器件具备更高的效率、更高的开关频率和更高的工作温度，在新能源发电、电动汽车等一些重要领域展现出其巨大的应用潜力。碳化硅电力电子器件的持续进步将对电力电子技术领域的发展起到重要的推动作用。本分会的主题涵盖SiC衬底、同质外延和电力电子器件技术。分会广泛征集优秀研究成果，将邀请国内外知名专家参加本次会议，充分展示碳化硅材料及电力电子器件技术的最新进展。
征文方向：
SiC晶体生长和加工
SiC同质外延
SiC材料缺陷控制与表征方法
SiC电力电子芯片结构设计与仿真
SiC电力电子芯片工艺
SiC电力电子芯片可靠性
SiC电力电子芯片测试和表征
SiC电力电子芯片的其他新技术
分会主席：
盛 况--浙江大学教授
分会委员：
徐现刚--山东大学教授
陈小龙--中科院物理所教授
张玉明--西安电子科技大学教授
张安平--西安交通大学教授
柏 松--中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员
王德君--大连理工大学教授
S2: 氮化镓功率电子器件
氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。本分会的主题涵盖大尺寸衬底上横向或纵向氮化镓器件外延结构与生长、氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、高效高速氮化镓功率模块设计与制造，氮化镓功率应用与可靠性等。将邀请国内外知名专家参加本次会议，呈现氮化镓电力电子器件研究与应用的最新进展。
征文方向：
大尺寸衬底上GaN基异质结构外延生长和缺陷、应力控制
GaN基电力电子器件技术
GaN衬底材料和厚膜同质外延
GaN器件封装技术
GaN电力电子应用
GaN电力电子技术的市场研究
分会主席：
陈 敬--香港科技大学教授
徐 科--中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米测试中心主任、苏州纳维科技有限公司董事长
分会委员：
李顺峰--北京大学东莞光电研究院副院长
陈 鹏--南京大学教授
张国旗--代尔夫特理工大学教授
晏文德--中兴通讯股份有限公司副总裁、中兴通讯能源研究院院长
S3: SiC/GaN电力电子封装、模块及可靠性
宽禁带半导体电力电子器件近年来不断获得技术的突破，具备广泛的市场应用前景。这类器件具备更高的效率、更高的开关频率和更高的工作温度等优势，在新能源发电、电动汽车、充电桩、电力转换及管理系统和工业电机领域等已展现出其巨大的应用潜力。因此，针对宽禁带半导体电力电子器件的封装及可靠性技术是推动其快速市场化并广泛应用的关键。本分会的主题涵盖宽禁带半导体电力电子器件封装设计、工艺、关键材料与可靠性评价等方面。分会广泛征集优秀研究成果，将邀请国内外知名与家参加本次会议，充分展示宽禁带半导体电力电子器件封装技术及其可靠性评价的最新进展。
征文方向：
SiC/GaN电力电子器件封装设计和仿真
SiC/GaN电力电子器件封装集成
SiC/GaN电力电子器件封装热散热
SiC/GaN电力电子器件封装材料和工艺
SiC/GaN电力电子器件封装可靠性
SiC/GaN电力电子器件驱动保护
SiC/GaN电力电子器件测试和监测
SiC/GaN电力电子器件应用
SiC/GaN电力电子器件封装其他新技术
分会主席：
陆国权--天津大学教授
张国旗--代尔夫特理工大学教授
分会委员：
于坤山--北京国联万众半导体科技有限公司总裁
赵争鸣--清华大学教授
杨 霏--国家电网智能研究院高级工程师
张安平--西安交通大学教授
柏 松--中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员
陶国桥--荷兰Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程师
王德君--大连理工大学教授
