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NS-CSP 1010系列LED器件——2015神灯奖申报技术

2015-04-02 作者: 来源: 浏览量: 网友评论: 0

摘要: NS-CSP 1010系列LED器件,为佛山市国星光电股份有限公司2015神灯奖申报技术。

  项目名称:

  NS-CSP 1010系列LED器件

  申报单位:

  佛山市国星光电股份有限公司

  综合介绍或申报理由:

  国星光电NS-CSP 1010系列LED器件采用业内最先进的陶瓷薄膜衬底(C-TFS)封装架构实现LED高紧凑封装,可应用于背光、高密度照明、投影设备、高端指示等领域。

  主要技术参数:

  NS-CSP 1010系列是目前世界上尺寸最小的瓦级功率型CSP?LED器件之一,峰值功率达到3.5W,尺寸1.0*1.0*10px,光效130lm/W@6000K,器件热阻≤5K/W

  与国内外同类产品或同类技术的比较情况:

  在现有的覆晶芯片或无封装器件中,其芯片发光区(外延层)通常位于蓝宝石下方,且为脆性易裂材料,厚度仅有(5~7μm),外部应力将直接传导至芯片内部造成外延层裂纹,进而导致芯片漏电或短路。这种失效形式在LED芯片与外部电路材料膨胀系数(CET)相差较大,特别是将LED芯片直接贴装于金属芯线路板(MCPCB)时尤为严重(GaN CTE5ppm/KMCPCB CTE18~23ppm/K)。

  国星光电NS-CSP?1010系列LED器件采用独家专利陶瓷薄膜衬底技术(C-TFS),将覆晶芯片固晶于厚度仅有50~80μm的精密陶瓷薄膜上,利用陶瓷高强度、低膨胀系数特性缓冲芯片外延层与外部线路,实现CSP器件高新耐性工作。同时薄膜陶瓷有效的缩短了芯片与外界热流通道的距离,抵消了衬底尺寸减少带来的热扩散性能下降。最后陶瓷衬底有效的支撑芯片侧面荧光粉层,大大降低了荧光粉层脱落的可能性,也进一步提高了器件的气密性。

  技术及工艺创新要点:

  在现有的覆晶芯片或无封装器件中,其芯片发光区(外延层)通常位于蓝宝石下方,且为脆性易裂材料,厚度仅有(5~7μm),外部应力将直接传导至芯片内部造成外延层裂纹,进而导致芯片漏电或短路。这种失效形式在LED芯片与外部电路材料膨胀系数(CET)相差较大,特别是将LED芯片直接贴装于金属芯线路板(MCPCB)时尤为严重(GaN CTE5ppm/KMCPCB

CTE18~23ppm/K)。

  国星光电NS-CSP 1010系列LED器件采用独家专利陶瓷薄膜衬底技术(C-TFS),将覆晶芯片固晶于厚度仅有50~80μm的精密陶瓷薄膜上,利用陶瓷高强度、低膨胀系数特性缓冲芯片外延层与外部线路,实现CSP器件高新耐性工作。同时薄膜陶瓷有效的缩短了芯片与外界热流通道的距离,抵消了衬底尺寸减少带来的热扩散性能下降。最后陶瓷衬底有效的支撑芯片侧面荧光粉层,大大降低了荧光粉层脱落的可能性,也进一步提高了器件的气密性。

  实际运用案例和用户评价意见:

  现已研发成功,但第二季度才开始供货,运用案例和评价预计2015年6月份才能出结果

  获奖、专利情况:

  申报单位介绍:

  佛山市国星光电股份有限公司是专业从事研发、生产、销售LED及LED应用产品的国家火炬计划重点高新技术企业,广东省优秀高新技术企业。公司占地面积12.3万平方米,厂房面积30.9万平方米。公司建于1969年,1976年开始涉足LED封装,是国内最早生产LED的企业之一。经过四十多年的发展,公司借助资金、渠道、科研和管理等方面的优势为行业所认可。公司产品多次获国家级、省级重点产品称号,科技成果多次荣获省市科技进步奖等荣誉。

  产品图片:


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