1 前 言

　　半导体发光二极管是一种重要的光电子器件,它在科学研究和工农业生产中均有非常广泛的应用.发光二极管虽小,但要准确测量它的各项光和辐射参数并非一件易事.目前在世界范围内的测试比对还有较大的差异.鉴于此,CIE(国际照明委员会)TC2-34 小组对此进行了研究,所提出的技术报告形成了CIE127-1997 文件.

　　中国光学光电子行业协会光电器件专业分会根据国内及行业内部的实际情况,初步制定了行业标准"发光二极管测试方法",2002 年起在行业内部试行.本文叙述了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求,以期收到抛砖引玉之效果.

　　本文涉及的测试方法适用于紫外/可见光/红外发光二极管及其组件,其芯片测试可以参照进行。

　　2 术语和定义

　　2.1 发光二极管 LED

　　除半导体激光器外，当电流激励时能发射光学辐射的半导体二极管。严格地讲，术语LED 应该仅应用于发射可见光的二极管;发射近红外辐射的二极管叫红外发光二极管(IRED,Infrared Emitting Diode);发射峰值波长在可见光短波限附近，由部份紫外辐射的二极管称为紫外发光二极管;但是习惯上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管。

　　2.2 光轴 Optical axis

　　最大发光(或辐射)强度方向中心线。

　　2.3 正向电压VF Forward voltage

　　通过发光二极管的正向电流为确定值时，在两极间产生的电压降。

　　2.4 反向电流IR Reverse current

　　加在发光二极管两端的反向电压为确定值时，流过发光二极管的电流。

　　2.5 反向电压VR Reverse voltage

　　被测LED 器件通过的反向电流为确定值时，在两极间所产生的电压降。

　　2.6 总电容C Capacitance

　　……