1前言

　　荧光灯局虽然有目前较高的发光效率、较低的制造成本等优点，但是因为荧光灯具的灯管中含汞，而用于封装荧光灯具的材料又以可吸收紫外线的玻璃为主，玻璃易碎的特性加上汞肥料的不易回收，均会严重地造成环境的污染。因此欧盟已经命令将在2007年开始金庸这些含汞制品，也因此新型照明灯源的开发已经成为各国政府发展的目标，而LED就是目前各国在照明方面发展的重点。

　　随着近年来对发光二极管的材料、工艺和结构技术的深入研究，明确了提高LED效率的途径。

　　发光二极管的发光效率一般称为组件的外部量子效率，其为组件的内部量子效率及组件的去除效率的乘积。所谓组件的内部量子效率其实就是组件本身的电光转换效率，主要与组件本身的特性加组件材料的能带、缺陷、杂志及组件的异质外延晶体组成及结构等相关。

　　而组件的取出效率指的是组件内部产生的光子，在经过组件本身的吸收、折射、反射后实际上在组件外都可测量到的光子数目。因此相关于取出效率的因素包括了组件材料本身的吸收、组件的几何结构、组件及封禁材料的折射率差、组件结构的散射特性等。而上述这两种效率的乘积，就是整个组件的发光效果，也就是组件的外部量子效率。

　　早期组件发展集中在提高其内部量子效率，方法主要是利用提高异质外延晶体的品质及改变异质外延晶体的结构，使电能不易转换成热能，进而简洁提高LED的发光效率，此法可获得约70%左右的理论内部量子效率，但是这样的内部量子效率几乎已经接近理论的极限，在这样的状况下，光靠提高组件的内部量子效率是不可能提高组件的总光通量，也就是外部量子效率达到目前的2~3倍，因此提高组件的取出效率便成为重要的课题。