1　引　　言

　　LED 发光效率高、寿命长，是最有潜力的下一代照明光源。随着GaN 基蓝绿光LED 亮度和稳定性的不断提高，全彩色LED 已广泛应用于装饰灯、数码显示、全彩显示屏以及电视背光等领域，并正进入通用照明市场。同时，GaN 基LED 也得到了学者的广泛研究[1～4]。其中钝化增透膜的应用，在提高GaN 基LED 可靠性的同时，能够提高LED 的光辐射功率，这项技术在学术界和产业界受到广泛关注。SoonJinSo等[5]运用Al2O3 钝化膜使GaN 基LED的发光强度提高13.6%。沈光地等[6～9]用SiON 作为钝化膜材料，使GaN 蓝光LED 发光强度提高了17.8%，同时降低了LED 的反向漏电流。老化结果表明，长有SiON 钝化膜的LED 具有更好的可靠性。本文研究了Si衬底GaN 基蓝光LED 芯片上，SiON 作为钝化增透膜对LED 亮度提升和光功率衰减的影响。实验对SiON 及老化前后的LED 进行了表征，对减少光衰的机理进行了探讨，报道了SiON 钝化膜能够减缓LED 封装环氧树脂的碳化，进而减少器件的光衰。

　　2　实　　验

　　实验采用自主研制的Si衬底GaN 基LED 外延片，结构如图1(a)所示[10]，通过衬底剥离技术将GaN 薄膜从原Si衬底上转移至新Si基板上，制作成垂直结构的芯片，尺寸为200μm×200μm。实验制备了两种形式的芯片，分别为不做钝化处理的A 类芯片和长有SiON 钝化膜的B 类芯片，结构如图1(b)、(c)所示。