2013 年是我国“国家半导体照明工程”启动十年。十年来，我国半导体照明产业取得了长足发展，这十年是成果卓著、跨越发展的十年。我国的半导体照明产业已初具规模，形成了相对完整的产业链，且产业集聚初步形成，一批骨干企业正在茁壮成长，产业发展的关键技术与国际水平差距逐步缩小，示范应用已居于世界前列，功能性照明市场正在逐步开启。中国的半导体照明产业已成为全球照明产业变革中转型升级发展最快的区域之一，具备了由大变强的发展基础。

　　2013年，我国半导体照明产业在经历2012年的后金融危机触底回升，成为继 2010 年后的又一个快速发展变革年。2 013 年最大的焦点是全球经济的复苏和应用需求的回暖，国内节能环保政策密集出台，在这种背景下，国内外 LED 通用照明市场的启动无疑是 2013 年产业发展最直接的驱动力，技术突破推动成本持续降低，LED照明市场加速渗透，LED 背光市场平稳增长，创新应用层出不穷。2013 年我国半导体照明产业无论上游外延芯片、中游封装还是下游应用增速都明显高于 2012 年水平，出口大幅增加;同时 2013 年也是竞争加剧的一年，产业整合持续深化，行业格局调整与一路走低的产品价格并行，增资扩产与停产倒闭共生。

　　一、整体产业规模稳步增长，照明应用表现突出

　　2013 年，我国半导体照明产业整体规模达到了 2576 亿元，较 2012年的 1920 亿元增长 34%，成为2010 年以后国内半导体照明产业发展速度较快的年份。其中上游外延芯片规模达到 105 亿元、中游封装规模达到403 亿元，下游应用规模则突破 2000 亿元，达到 2068 亿元(如图 1)。

　　2013 年，我国芯片环节产值达到 105 亿元，增幅 31.5%，但随着2010-2011 年所投资的 MOCVD 产能继续释放而使产量增幅达到 61%，远大于产值增幅。其中 GaN 芯片的产量占比达 65%，而以 InGaAlP 芯片为主的四元系芯片的产量占比为25%，G aAs等其他芯片占比为10%左右( 如图2)。