LED芯片倒装工艺原理以及应用简介
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上传人：LEDth/整理 上传时间： 2013-08-16 浏览次数： 640 |
倒装芯片与与传统工艺相比所具备的优势:
通过MOCVD技术在兰宝石衬底上生长GaN基LED结构层，由P/N结髮光区发出的光透过上面的P型区射出。由于P型GaN传导性能不佳，为获得良好的电流扩展，需要通过蒸镀技术在P区表面形成一层Ni-Au组成的金属电极层。P区引线通过该层金属薄膜引出。为获得好的电流扩展，Ni-Au金属电极层就不能太薄。为此，器件的发光效率就会受到很大影响，通常要同时兼顾电流扩展与出光效率二个因素。但无论在什麼情况下，金属薄膜的存在，总会使透光性能变差。此外，引线焊点的存在也使器件的出光效率受到影响。采用GaN LED倒装芯片的结构可以从根本上消除上面的问题。
倒装晶片所需具备的条件
倒装晶片的定义
倒装LED芯片技术行业应用分析
未来LED的芯片发展方向
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