高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能
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上传人：陈亮、张燕、陈俊、郭丽伟、李向阳、龚海梅 上传时间： 2013-05-22 浏览次数： 57 |
| 作者 | 陈亮、张燕、陈俊、郭丽伟、李向阳、龚海梅 |
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| 单位 | 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室、中国科学院物理研究所 |
| 分类号 | TN23 |
| 发表刊物 | 《红外与激光工程》 |
| 发布时间 | 2007年 |
摘要：研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝石,缓冲层为AlN,n型层采用厚度为0.8μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15μm的Mg掺杂GaN。采用Cl2、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面,光敏面面积为1.96×10-3 cm2。可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段,响应区域为310～365 nm,在360 nm处响应率最大,为0.21 A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到82%;优质因子R0A为2.00×108Ω.cm2,对应的探测率D=2.31×1013 cm.Hz1/2.W-1;且零偏压下的暗电流为5.20×10-13 A。
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