采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO和ZnO薄膜
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上传人：崔勇国、张源涛、朱慧超、张宝林、李万程、杜国同 上传时间： 2013-05-16 浏览次数： 55 |
| 作者 | 崔勇国、张源涛、朱慧超、张宝林、李万程、杜国同 |
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| 单位 | 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室 |
| 分类号 | O484.1 |
| 发表刊物 | 《人工晶体学报》 |
| 发布时间 | 2005年 |
摘要：采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(100)和ZnO(002)薄膜。该薄膜的晶体结构特性是由X光衍射谱仪(XRD)所获得的,而其光学特性是由光荧光谱仪(PL)来测的。与ZnO(002)相比,ZnO(100)薄膜具有更优越的晶体结构特性,并且在同样的生长温度下都具有相似的光学特性。对于腐蚀条件不同的GaAs衬底所进行的XPS分析结果表明,ZnO薄膜优先定位变化的主要原因在于腐蚀过程中形成的富As层。
1引言ZnO是一种直接宽带隙半导体材料,目前,ZnO的应用范围日益广泛。随着很多更加优越的新薄膜生长技术的研发,其在质量上有了明显的改善。由于它独特的材料特性(激子束缚能约为60mV),在光电材料方面具有极大应用潜力因而吸引着不少人的瞩目。强大的激子能使ZnO薄膜成为一种
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