化合物半导体晶片和器件键合技术进展
上传人:谢生、陈松岩、何国荣 上传时间: 2013-04-24 浏览次数: 70 |
作者 | 谢生、陈松岩、何国荣 |
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单位 | 厦门大学物理系 |
分类号 | TN305 |
发表刊物 | 《固体电子学研究与进展》 |
发布时间 | 2003年 |
摘要:半导体晶片直接键合技术已成为半导体工艺的一门重要技术 ,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用。文中详细叙述了近十年来 - 族化合物半导体键合技术的主要实验方法 ,并对各种键合方法的优缺点进行了比较 ,结合自己的工作对化合物半导体的键合机理和界面特性做了总结 ,针对目前的研究工作和应用做了展望。
1 引言晶片直接键合 ( Wafer Direct Bonding,WDB)是将两片表面清洁、原子级平整的同质的或异质半导体材料经表面清洗和活化处理 ,在一定条件下直接贴合 ,通过范德华力、分子力甚至原子力使晶片键合而成为一体的技术。利用该技术可实现单片或准单片集成 ,使系统、电路、
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