不同In组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱的表面光伏谱

上传人：孔令民、蔡加法、李明、吴正云、沈文忠

上传时间： 2013-01-23

浏览次数： 26

作者	孔令民、蔡加法、李明、吴正云、沈文忠
单位	厦门大学物理系、上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室
分类号	TN248.4
发表刊物	《量子电子学报》
发布时间	2002年

　　摘要：本文采用表面光伏谱方法，对不同组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算，对样品的表面光伏谱进行指认，理论与实验符合得很好。

　　1 引言量子饼材料的出现大大促进了光电器件的发展，而应变量子阶和超晶格的实现，不但能改变量子盼的能带结构，实现能带裁剪，而且增加了饼、垒材料的选择和自由度，扩展了量子饼材料的种类和应用川.其中高质量的InGaAs/GaAs量子饼材料已引起人们的广泛关注......

　　1、引言

　　2、原理

　　3、实验

　　4、结果与讨论

　　5、结论

大中小 | 收藏本文

资料