WLED是半导体白色发光二极管(White light-emittingdiodes)的简称，是一种新型固态光源。与传统的照明光源相比，WLED有许多优点[1]，如效率高、能耗低、寿命长、体积小、响应快、无污染等，因此被喻为第四代照明光源。WLED应用前景广阔，受到各国的高度重视。2006年日亚公司提供了100lrn/w的WLED工程制品并于当年正式投入生产，2008年完成了150 lm/W的产品研发。CREE公司生产出131 lm/W的WLED产品，发光效率高达70%左右。

　　实现WLED有3种方案：荧光转换型、多芯片组合型、单芯片多量子阱型。(1)荧光转换型：按半导体芯片发光波长为蓝光或近紫外光，又划分为2类，一种是蓝光LED芯片激发黄光荧光粉组合成白光，另一种是近紫外光LED芯片激发红、绿、蓝三基色荧光粉组合成白光。(2)多芯片组合型：红、绿、蓝三基LED芯片组装实现白光。(3)单芯片多量子阱型：同一半导体芯片发射多种颜色的可见光并组合成白光。

　　目前，荧光转换型wL印是固体白光照明发展的主流。最早商业化的白光LED是日本的Nichia公司运用GaN基LED芯片所发的蓝光(约450nm)激发黄色荧光粉YAG：Ces+实现自光，但这类白光LED由于缺少红光区域的光谱，导致其显色指数不好，而且其发光效率低。目前InGaN芯片的发射波长已经移至近紫外区[2]，能为荧光粉提供更高的激发能量，进一步提高WLED的光强。由于紫外光不可见，紫外激发白光LED的颜色只能由荧光粉决定，因此颜色稳定，显色指数高，使用近紫外InGaN芯片和蓝、黄荧光粉或者与三基色荧光粉组合来实现白光的方案成为目前WLED行业发展的重点。蓝色荧光粉是该方案中不可缺少的成分。对应用于WLED的黄色荧光粉YAG：Ce3+和红色荧光粉的文献报道较多，而蓝色荧光粉的研究进展报道较少。本文主要介绍可用于WLED的近紫外光激发的蓝色荧光粉的研究现状及进展情况。

　　1、WLED商用蓝色荧光粉

　　多铝酸盐BaMgAllo 017;EU2+(BAM)是一种目前商用的荧光转换型蓝色荧光粉，也是目前研究最多的蓝粉。BAM最初主要应用于三基色荧光灯[3]和等离子显示(PDP)中[4]，由于其激发带与近紫外InGaN芯片的激发光谱相匹配，现已应用于近紫外光激发的白色发光二极管[5’6]。

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