LP-MOCVD生长InGaN及InGaN/GaN量子阱的研究
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上传人：刘宝林, 陈松岩,吴正云,陈朝,陈丽蓉, 黄美纯 上传时间： 2011-10-18 浏览次数： 164 |
| 作者 | 刘宝林, 陈松岩,吴正云,陈朝,陈丽蓉, 黄美纯 |
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| 单位 | 厦门大学物理系 |
| 分类号 | TN248.4 |
| 发表刊物 | 光电子·激光 |
| 发布时间 | 2002年02期 |
引言
由于 - N基化合物是直接带隙,室温带隙可以从In N的1 .89e V一直延伸到Ga N的3.44e V和A1 N的 6.2 e V,发光波长范围覆盖红、绿、蓝和紫外光波段,是理想的光电器件材料,最近几年来受到广泛重视并取得较大的进展。改变InGaN/ GaN多量子阱区的InN组份……
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