MOCVD生长中利用Al双原子层控制和转变GaN的极性
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上传人：刘宝林 上传时间： 2011-10-08 浏览次数： 87 |
| 作者 | 刘宝林 |
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| 单位 | 厦门大学物理系 |
| 分类号 | TN304.055 |
| 发表刊物 | 半导体光电 |
| 发布时间 | 2001年06期 |
引言
GaN及其化合物半导体由于其特殊的物理和化学特性 ,受到了学术界和产业界的广泛重视并已取得了较大的进展 ,它不仅可用于发光管、激光器和探测器等光电器件 ,而且可以用于如FET等电子器件。最近几年已成功研制出高效的可见光波段和紫外光波段的GaN光电器件……
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