GaN薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征
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上传人：王珊珊,王雪文,阎军峰,邓周虎,段晓峰,赵武,张志勇 上传时间： 2011-09-19 浏览次数： 83 |
| 作者 | 王珊珊,王雪文,阎军峰,邓周虎,段晓峰,赵武,张志勇 |
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| 单位 | 西北大学信息学院,中国科学院西安光学精密器械研究所 |
| 分类号 | O614.371 |
| 发表刊物 | 光子学报 |
| 发布时间 | 2009年01期 |
引言
鉴于氮化镓具有优良的光、电学性质和优异的机械性质及热稳定性[1-3],其在光电器件方面的应用尤为突出.近几年,国内外很多研究机构利用金属有机气相外延(Metal Organic Chemical VaporDeposition,MOCVD)、分子束外延(MolecularBeam Epitaxy,MBE)及高频等离子体化学气相……
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