GaN/AlN半导体异质结带阶超原胞法计算
|
上传人：宋佳明,陈光德,耶红刚,竹有章,伍叶龙 上传时间： 2011-09-16 浏览次数： 110 |
| 作者 | 宋佳明,陈光德,耶红刚,竹有章,伍叶龙 |
|---|---|
| 单位 | 西安交通大学理学院物质非平衡合成与调控教育部重点实验室 |
| 分类号 | O471.5 |
| 发表刊物 | 光子学报 |
| 发布时间 | 2009年12期 |
引言
六方纤锌矿结构Al N是带隙宽度最大的氮化物半导体,带隙宽度6.2eV[1],具有高热传导率系数、高硬度、好的热和化学稳定性,以及在半导体,光电压电方面独特的性质,使其在光电器件、微电子器件等应用上具有不可估量的潜力[2].由于技术限制,目前还没有直接利用Al N作为活性……
最新评论
用户名： 密码：
