立方相GaN/GaAs(001)外延层中六角相的分布特征
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上传人：渠波,郑新和等 上传时间： 2011-09-09 浏览次数： 291 |
| 作者 | 渠波,郑新和,王玉田,韩景仪,徐大鹏,林世鸣,杨辉,梁骏吾 |
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| 单位 | 中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室,中国地质科学院矿床地质研究所 |
| 分类号 | TN304 |
| 发表刊物 | 中国科学E辑 |
| 发布时间 | 2001年03期 |
目前 ,GaN基异质外延材料受到了普遍重视 ,GaN基LEDs ,LDs,以及适合于高温、恶劣环境下工作的紫外探测器和大功率微电子器件已经被广泛研制并逐步商品化[1～ 3] .GaN材料多以纤锌矿型和闪锌矿型两种结构存在[4] .高质量的GaN材料至今仍然是在蓝宝石衬底上……
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