蓝宝石上AlN基板的MOCVD外延生长
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上传人：李艳炯,方亮等 上传时间： 2011-09-02 浏览次数： 244 |
| 作者 | 李艳炯,方亮,赵红,赵文伯,周勇,杨晓波,周勋 |
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| 单位 | 重庆大学物理学院;重庆光电技术研究所 |
| 分类号 | TN304.054 |
| 发表刊物 | 半导体光电 |
| 发布时间 | 2010年06期 |
引言
深紫外Al GaN基光电器件在污水净化、杀菌、医学、生化、白光照明、军事等诸多领域有着广泛的应用[1-2]。目前,由于缺乏与高Al组分Al GaN基材料晶格相匹配的衬底,所以难以生长出高质量高Al组分Al GaN器件结构外延层[3-4]。理论上,最适合于高Al组分Al GaN基材料生长的是……
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