利用下式计算外部晶体管的功耗：

　　其中，tRISE为晶体管的上升时间，tFALL为晶体管的下降时间，T为PWM周期，tON/T为PWM亮度等级，I为LED总电流，RON为晶体管的导通电阻。

　　式2给出了晶体管开关损耗与导通损耗之和，开关损耗由开/关时间决定。当晶体管闭合或断开时，在晶体管两端电压从零上升到VLED的过程中，或者是在反方向变化时，几乎所有电流流过晶体管。

　　使用高速开关晶体管时，上升时间和下降时间通常为50ns。对于周期(T)为1/1000秒的PWM、LED电压(VLED)为5.5V、LED总驱动电流为200mA时，晶体管总功耗为：

　　若晶体管导通电阻为0.1Ω，则晶体管在最高亮度时的导通功耗为：

　　从式4可以看到，合理选择高速开关晶体管，能够将损耗降至最小。

　　　　主控与各端口的分层控制

　　有些LED驱动器的PWM亮度控制可以通过主控与各端口之间的分层控制实现。例如，MAX6964、MAX7313、MAX7314、MAX6965、 MAX7315和MAX7316。如图3所示，各端口的PWM亮度控制波形重复多次。每重复一次相当于一次主机控制。由此，如果主机控制15级亮度调节，则控制波形重复15次。LED驱动器各端口的控制信号决定了波形的占空比。主控信号决定控制波形的重复次数。比如：某个端口的占空比为3/16，主控设置为4/15。波形的导通时间占整个周期的3/16，波形在全部15个时隙的前4个时隙重复。

图3. 主控和各端口的PWM亮度分层控制