Q：Cree公司生产红光LED芯片吗?

　　A ：Cree公司一直以来都没有生产红光LED芯片，只有蓝光、绿光和紫外光LED芯片。

　　Q：Cree的芯片都是碳化硅(SiC)材料为衬底的吗?

　　A：目前Cree公司的小功率LED芯片都是采用碳化硅(SiC)材料为衬底的，而EZBright系列LED芯片则采用Si衬底结构。Cree公司是世界上少有采用碳化硅(SiC)材料为衬底生产蓝光、绿光和紫外光LED芯片的公司。

　　Q：Cree有没有双电极结构的芯片?

　　A： Cree公司有推出采用碳化硅(SiC)材料为衬底的双电极结构芯片(ETC系列)，型号有TR260、TR2432、TR2436等，以绝缘胶固晶为主，详情请参考Cree的产品规格书。

　　Q：Cree的芯片抗静电能力(ESD)如何?

　　A：Cree公司的所有采用碳化硅材料为衬底的LED系列芯片的抗静电能力都大于1000V(HBM)，并且是百分之百测试。

　　Q： LED芯片静电击穿现象能够通过低倍显微镜观察到吗?

　　A：通常比较严重的静电击穿可以通过低倍显微镜观察到在芯片表面有黑色小孔。

　　而轻微的静电击穿则需要通过高倍显微镜或SEM才可以确定，见下图：

　　Q：Cree公司的LED芯片在固晶时对银浆量有何要求?银浆过多或过少会产生什么样的结果?

　　A：Cree公司建议固晶时银浆量以芯片高度的1/3处为宜，最多不得超过1/2芯片高度，且芯片四周均有银浆包围。

　　银浆过多，会遮挡芯片侧面出光，导致成品亮度降低，若银浆溢出到芯片表面还可能引起短路现象，甚 至死灯。

　　银浆过少，可能会导致接触不良，成品灯VF值升高或死灯等现象，另外银浆变质也可能导致上述问题的出现。下图请参考：

　　Q：Cree公司的LED芯片亮度通常用mw表示，请问mw和mcd之间如何换算?

　　A：Cree芯片的亮度一般用辐射功率 RF(Radiant Flux)表示，单位是mw。它表示一个光源单位时间里发出的光能量，与客户的测量设备系统相关。而坎德拉(cd)是指单位立体角内的光通量，和封装的形状(透镜形状)有着很大的关系。两者的定义和测量方法都不相同, 因此mw和mcd之间无法换算。