新世纪光电Geen InGaN/GaN LED Chip D0 (12)规格说明书
上传人:未知 上传时间: 2011-07-28 浏览次数: 224 |
1. Scope:
This specification applies to green InGaN/GaN LED chips, D0 (12), of Genesis Photonics Inc.。 And Includes the inspection of electro-optical characteristics。
2. Materials:
2.1 P-contact:ITO。
2.2 P-pad:Au。
2.3 N-pad:Au。
3. Size:
3.1 Chip size:305μm ( ± 10μm )。
3.2 P-pad:φ 100μm ( ± 10μm )。
3.3 N-pad:R 110μm ( ± 10μm )。
3.4 Chip thickness:85μm ( ± 10μm )。
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