蓝宝石衬底分步清洗及其对后续氮化的影响
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上传人：郎佳红，顾彪等 上传时间： 2011-07-26 浏览次数： 92 |
| 作者 | 郎佳红，顾彪，徐茵，秦福文，曲钢 |
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| 单位 | 大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室 |
| 分类号 | TN304.05 |
| 发表刊物 | 《半导体技术》 |
| 发布时间 | 2005年 |
引言
宽带隙的111族GaN基氮化物包括AIN、InN及 其固溶体,它们的直接带隙能量在6.2eV(AIN) 到1.geV(InN)之间连续可调,是制备蓝绿光到 紫外光波段的发光二极管(LED)、激光二极管 (LD)等光电器件的首选材料。它们具有禁带宽 度大、电子漂移饱和速度高,介电常数小,导热 性能好……
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