LED光源是否能全面进入照明领域，其光源的成本是最关键的，从目前看，不同LED产品，比传统产品的成本差价还有5~10倍，而且由于主要技术指标还要进一步提高，不断提出采用新结构、新材料、新技术、新工艺，这无疑给LED成本带来新的压力。根据美国SSL计划提出的要求，2015年达到集成价格2美元/klm。从目前的成本价位，要求成本每年平均下降20%，基本上可以达到上述指标，这是非常艰巨的任务，下面从二个层面提出几点降低成本的方法，供大家讨论。

　　1.规模化生产及提高成品率

　　采用自动化设备进行大规模生产，可大幅度提高生产效率、节省费用、降低成本。另外，采用工艺措施和质保体系的管理办法来提高成品率，同样是降低成本的好办法。

　　2.技术创新降低成本

　　要降低成本重点要从技术上进行创新，采用新结构、新技术、新材料、新工艺，既可提高LED性能指标，又可有效地大幅度降低成本，这是努力的方向，以下介绍几个办法。

　　(1)外延芯片降低成本办法

　　从现阶段来看，LED芯片的成本占LED光源的比例是较高的，要重点从外延芯片上下功夫降低成本，介绍四个具体办法。

　　其一，增大外延片面积：外延生长的园片面积，从目前采用2寸及部分4寸已瞄准目标向6寸进军，虽然外延芯片面积增大，在技术上要克服片子的均匀性、龟裂、变形等出现的新问题，但降低成本非常显着。另外，生产MOCVD的厂家目前还正在研发8寸圆片的设备。

　　其二，改进外延生长：Veeco亚洲总裁王克扬介绍从MOCVD的良品、工艺、架构着手，具体对平均无故障间隔时间(MTBF)，平均清洁间隔时间(MTBC)、平均修复时间(MTTR)这三种时间进行改进，以及设备间匹配性和线上工艺控制，可提高产量，使外延片的成本从2009年的1美元/cm2降至2014年的0.2美元/cm2。

　　其三，增加电流密度：国外几个主要公司均在研发增加LED正向电流的电流密度，来提高单颗功率LED发光的光通量，以达到同样照度时而减少LED的数量，当然会牺牲部分光效，如果从目前正向电流350mA增到2A时，光通量可增加4~5倍，成本将大幅度下降。当然还要解决结温耐热性、封装材料耐热性及散热等新问题。

　　其四，降低开启电压VF：目前GaN开启电压VF的典型值为3.3V，国外正在研发降低VF值，如果达2.8V之内，当输入功率降低时可获得同样的光通量(光效)，即能效提高，节约成本。