3 等离子清洗原理及设备

　　3.1 概述：是正离子和电子密度大致相等的电离气体。由离子、电子、自由激进分子、光子以及中性粒子组成，是物质的第四态。人们普遍认为的物质有三态：固态、液态、气态。区分这三种状态是靠物质中所含能量的多少。给气态物质更多的能量，比如加热，将会形成等离子体，在宇宙中99.99%的物质处于等离子状态。

　　3.2清洗原理：通过化学或物理作用对工件表面进行处理，实现分子水平的污染物去除(一般厚度为3～30nm)，从而提高工件表面活性。被清除的污染物可能为有机物、环氧树脂、光刻胶、氧化物、微颗粒污染物等。对应不同的污染物，应采用不同的清洗工艺，根据选择的工艺气体不同，等离子清洗分为化学清洗、物理清洗及物理化学清洗。

　　化学清洗:表面反应以化学反应为主的等离子体清洗，又称PE。

　　从反应式可见，氧等离子体通过化学反应可使非挥发性有机物变成易挥发的H2O和CO2。

　　从反应式可见，氢等离子体通过化学反应可以去除金属表面氧化层，清洁金属表面。

　　物理清洗：表面反应以物理反应为主的等离子体清洗，也叫溅射腐蚀(SPE)。

　　Ar+在自偏压或外加偏压作用下被加速产生动能，然后轰击在放在负电极上的被清洗工件表面，一般用于去除氧化物、环氧树脂溢出或是微颗粒污染物，同时进行表面能活化。

　　物理化学清洗：表面反应中物理反应与化学反应均起重要作用。

　　3.3等离子清洗设备

　　等离子清洗设备的原理是在真空状态下，压力越来越小，分子间间距越来越大，分子间力越来越小，利用射频源产生的高压交变电场将氧、氩、氢等工艺气体震荡成具有高反应活性或高能量的离子，然后与有机污染物及微颗粒污染物反应或碰撞形成挥发性物质，然后由工作气体流及真空泵将这些挥发性物质清除出去，从而达到表面清洁活化的目的。是清洗方法中最为彻底的剥离式清洗，其最大优势在于清洗后无废液，最大特点是对金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料等都能很好地处理，可实现整体和局部以及复杂结构的清洗。

　　4 等离子清洗在LED封装工艺中的应用

　　LED封装工艺直接影响LED产品的成品率，而封装工艺中出现问题的罪魁祸首99%来源于芯片与基板上的颗粒污染物、氧化物及环氧树脂等污染物，如何去除这些污染物一直是人们关注的问题，等离子清洗作为最近几年发展起来的清洗工艺为这些问题提供了经济有效且无环境污染的解决方案。针对这些不同污染物并根据基板及芯片材料的不同，采用不同的清洗工艺可以得到理想的效果，但是错误的工艺使用则可能会导致产品报废，例如银材料的芯片采用氧等离子工艺则会被氧化发黑甚至报废。所以选择合适的等离子清洗工艺在LED封装中是非常重要的，而熟知等离子清洗原理更是重中之重。一般情况下，颗粒污染物及氧化物采用5%H2+95%Ar的混合气体进行等离子清洗，镀金材料芯片可以采用氧等离子体去除有机物，而银材料芯片则不可以。选择合适的等离子清洗工艺在LED封装中的应用大致分为以下几个方面：

　　Ø 点银胶前：基板上的污染物会导致银胶呈圆球状，不利于芯片粘贴，而且容易造成芯片手工刺片时损伤，使用等离子清洗可以使工件表面粗糙度及亲水性大大提高，有利于银胶平铺及芯片粘贴，同时可大大节省银胶的使用量，降低成本。

　　Ø 引线键合前：芯片粘贴到基板上后，经过高温固化，其上存在的污染物可能包含有微颗粒及氧化物等，这些污染物从物理和化学反应使引线与芯片及基板之间焊接不完全或粘附性差，造成键合强度不够。在引线键合前进行等离子清洗，会显著提高其表面活性，从而提高键合强度及键合引线的拉力均匀性。键合刀头的压力可以较低(有污染物时，键合头要穿透污染物，需要较大的压力)，有些情况下，键合的温度也可以降低，因而提高产量，降低成本。

　　Ø LED封胶前：在LED注环氧胶过程中，污染物会导致气泡的成泡率偏高，从而导致产品质量及使用寿命低下，所以，避免封胶过程中形成气泡同样是人们关注的问题。通过等离子清洗后，芯片与基板会更加紧密的和胶体相结合，气泡的形成将大大减少，同时也将显著提高散热率及光的出射率。

　　通过以上几点可以看出材料表面活化、氧化物及微颗粒污染物的去除可以通过材料表面键合引线的拉力强度及侵润特性直接表现出来。

　　某几家LED厂产品封装工艺中以上几点工艺前添加等离子清洗，测量键合引线的拉力强度与未进行等离子清洗相比，键合引线拉力强度有明显增加，但由于产品不同，所以增加的幅度也大小不等，有的只增加12%，有的却可以增加80%，也有的厂家测量的数据反映平均拉力没有明显增加，但是最小键合拉力却明显提高，对于确保产品可靠性来说，这仍然是十分有益的。图3为某LED厂家一批氧化的LED等离子清洗前后对比，图4为某LED厂家对一批LED在等离子清洗前后进行的键合引线拉力对比图。