半导体结温的近似计算
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上传人：Tom 上传时间： 2011-05-03 浏览次数： 241 |
一般而言半导体器件的结温Tj=Tc+RxP
其中Tj为结温，Tc为器件外表面温度，R为器件封装的热阻，P为器件的耗散功率。当热阻R不能提供时，也可 以通过近似计算求取结温。
对于非大功率晶体管 Tj=Tc+30°C
对于非大功率二极管Tj=Tc+20°C
集成电路门数小于30个或晶体管数小于120的非存储器其结温近似为：
Tj=Tc+10°C
当门数大于30个或晶体管大于120个时(含存储器)
Tj=Tc+24°C
对于地功耗的TTL及MOS电路而言：
当门数小于30个或晶体管数不大于120个时：Tj-Tc+5
当门数大于30个或晶体管数大于120个时：Tj=Tc+13
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