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　　29、 通过哪些芯片制造过程中的工艺技术措施，可以提高芯片发光强度与出光效率?

　　LED的亮度主要取决于外延方法和外延质量好坏，在芯片制造过程中采取不同的方法也可提高一些光强即提高外量子效率，但是程度有限。现在使用最方泛的方法是进行表面粗化工艺。粗化的原理是增加发光面积。该方法适用于黄，绿，普红，普黄。等 GaPa 基材的外延片，另外红外 LED 也可采用该方法。这种方法一般可以提高30%。

　　另外有一种方法是覆盖一层增透膜。由于发光二极管晶体的折射率比较高，当光线射向晶体表面时，在晶体和空气的交界面上就要产生折射。若假定该晶体的折射率为 N1，入射角为θ1，在空气折射率为N2，折射角为θ2时，如图29-1：

　　芯片表面粗化法

　　由于GaN的折射系数η1=2.3，与空气折射系数η1=1相差较大，其余反射临界角仅为 25°，使大部分光不能逸出到空气中去，出光效率较低。为此，通过改变 GaN 与空气的介面的几何形状，使全反射临界角增大，提高出光效率，这就是通过芯片表面粗化的方法来实现。图29-2示出芯片出光面示意图。

　　芯片倒梯形结构。

　　CREE 公司有一款芯片采用倒梯形结构后也提高了光强，如图29-3。由于这种结构的芯片其边缘部分的全反射临界角增大，光子逸出率提高，并能从碗腔射出，提高光强和出光效率。

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