随着GaN基III- V族化合物技术的发展和蓝光LED的实现，人们已经可以获得实现白光的三基色发光二极管。通常情况下，获得白光发光二极管的方法有：1）发光芯片+ 荧光粉；2）多芯片组合，即将红，绿，蓝三个芯片结合在一起；3）光子循环实现白光发光方式；4）同一衬底上生长不同发光波长量子阱方式。但是上述几种获得白光的方式技术复杂、制作成本高、存在很多需要克服的困难，因此人们一直致力于实现能够避开这些问题的单芯片白光发光器件，并从理论上预言这种器件的可行性。然而，尽管GaN基的蓝、绿光发光二极管的技术日益成熟和商品化，实现单芯片白光发光成为科学家的梦想。2006年，物理所陈弘研究组采用InGaN的应力调制层，实现了对InGaN/GaN多量子阱的应力调制和控制，成功研制出单芯片白光发光器件。此方法不需要荧光粉，也不需要增加复杂的控制电路，制备过程与普通发光二极管相似。在常规的注入电流下（20mA－60mA），白光的显色指数几乎不变。图1展示了不同注入电流下发光颜色的变化。图2展示了InGaN/GaN有源区的截面电镜像。

图1.不同注入电流下单芯片白光发光二极管的发光照片：(a) 1 mA, (b) 5 mA, (c) 20 mA, (d) 60 mA

图2.发光二极管InGaN/GaN 有源区透射电子显微镜截面图片。