道康宁SiC开发获得美国海军支持
|
上传人：未知 上传时间： 2007-12-13 浏览次数： 69 |
道康宁称，在项目第一阶段，所有主要目标业已达成，SiC技术也得到显著进步，希望第二阶段及后续阶段将帮助其进一步提高质量、降低成本，为性能更好、价格更易被人接受、更节能SiC产品的上市铺平道路。SiC技术最终的市场成功不仅取决于原材料，附加研究和系统开发也非常重要。这一项目为政府、领先科研机构和商业组织合作、共享资源，改进技术提供了一个理想平台。
道康宁从2003年收购SiC先锋-Sterling Semiconductor公司后就一直进行SiC技术的研究。随着2004年DCCSS业务部诞生，道康宁在密西西比州奥本市的制造基地开放，SiC技术的开发也在该基地中进行。
用户名： 密码：
