理论上“可以制造出与水晶一样大小的GaN结晶”(演讲者:现美国SixPoint Materials的CEO/CTO桥本忠朗)(图1)。此次试制品的尺寸在6～7mm左右，“不过，我们想验证可以利用我们的氨热法制造GaN结晶。今后还将进一步加大尺寸”(桥本忠朗)。

　　利用氨热法，使一般在高温高压下添加矿化物的NH3达到超临界状态，来融解原料——金属镓(Ga)或GaN结晶。然后改变温度，使融解后的GaN结晶析出。也就是，将水热法中使用的水换成NH3。该研究组将结晶生长基元——GaN底板放入制造装置中，利用氨热法在GaN底板上析出了GaN结晶。理论上，制造出水晶那么大的结晶之后，就可以自由轻松地切割结晶面，因此东北大学等的研究小组一直致力于该研究。只要制造出大的GaN结晶，就可以切割GaN结晶的c面、非极性面、半极性面等结晶面。展板上展示了切出m面和c面后的底板(图2)。

　　该研究小组作为矿化物采用的是碱性材料。虽然有些方法使用酸性及中性的矿化物材料，但此次基于以下三个理由而采用了碱性材料。(1)可在600℃以下的低温条件下生长;(2)基于镍·铬的材料可以用来防止制造装置的腐蚀;(3)GaN的析出温度比较高，可以提高GaN的结晶性。通过使用碱性材料，NH3的温度上升时、溶解度下降，相反，温度下降时、溶解度上升，使GaN更容易溶解。也就是说，由于要达到过饱和状态需要高温，使GaN的析出温度升高，结果使GaN的结晶性提高。

　　此次之所以能够利用氨热法制造GaN结晶，是因为开发出了可以耐高温高圧的装置。试制品在220MPa，510～575℃的条件下培育。培育时间为82日。生长率为每面30μm/日。

　　今后的目标是:抑制各个方向上产生的晶粒、提高生长率、增大结晶尺寸、制造接近无色的GaN结晶等。比如，生长率力争达到每面50μm/日，与利用水热合成法制造ZnO时相同。大型化则将通过采用更大的制造装置等来实现。