第三代宽禁带半导体SiC具有独特的物理性质，既是制作高功率GaN基发光二极管的理想衬底，又是制作大功率电子器件的重要材料。在半导体照明工程中具有重要的应用前景。生长大直径SiC单晶可降低成本，提高衬底的表面质量，制备出“开盒即用”的衬底，把SiC衬底推向实用化，对积极推进半导体照明和大功率电子器件意义重大。

图1 3英寸SiC单晶

图2 切割、化学机械抛光后和达到开盒即用要求的sic晶片

　　山东大学率先在国内建立了完整的宽带隙半导体SiC单晶生长和加工的研究基地。鉴于目前国际上SiC电子器件先进的主流生产线均开始采用3英寸的SiC晶圆片，为进一步与器件研发单位密切配合并同国际接轨，课题组新近采用升华法对3英寸SiC单晶生长工艺进行了初步探索，最终成功地生长出3英寸SiC单晶。同时，完成了大直径SiC单晶的生长、切割、磨抛、清洗和封装的全部工艺设计，具备了小批量生产的能力，基本达到了向产业转化的技术要求。

　　目前，课题组正在积极推进SiC衬底在半导体照明中的应用，进行蓝光GaN材料体系的LED结构材料的外延生长及管芯制作，在外延片上进行电致发光的试验，已得到蓝光输出。有关LED的详细结果有待于管芯封装以后测量。