山东大学大直径SiC单晶研究取得突破进展
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上传人：未知 上传时间： 2007-05-12 浏览次数： 57 |
第三代宽带隙半导体SiC是制作大功率微波器件的重要材料，又是制作高功率GaN基发光二极管的理想衬底，在半导体照明工程中具有重要应用前景。山东大学采用升华法对３英寸6H-SiC单晶生长工艺进行了初步探索，首先利用理论计算对大直径单晶的温场进行了模拟，解决了坩埚设计的问题，随后根据温场模拟结果进行了多次优化试验，最终得到３英寸SiC单晶。对于微电子器件制作来说，衬底的直径不但需要满足主流生产线的要求，而且管芯的产率和成本等因素都需要更大直径的SiC单晶，因此生长３英寸或更大直径的SiC单晶具有重要的应用价值。
山东大学晶体材料国家重点实验室是１９８４年我国首批建设的国家重点实验室之一。目前已发展成为我国一个由材料学、凝聚态物理两个国家级重点学科和材料科学与工程、物理学、化学三个一级学科博士点支撑的高层次人才培养基地以及上、中、下游紧密衔接的科技成果辐射基地。
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