以下是晶能光电CEO王敏博士给阿拉丁神灯奖主办方暨评委的一封公开信。

　　尊敬的阿拉丁神灯奖主办方暨各位评委：

　　作为晶能光电的联合创始人和晶和照明的创始人，请允许我向各位评委郑重推荐承载着LED中国梦的中国芯——晶能光电硅衬底大功率LED芯片。

　　晶能光电硅衬底大功率LED芯片是目前全球唯一一款利用硅作为生长衬底的商品化大功率LED芯片。它凝聚了晶能光电几代人的梦想和力量，实现了从“中国制造”走向“中国创造”。

　　硅衬底LED技术起源于本土的南昌大学的研究成果，经过晶能光电国际化的LED技术精英们卓有成效的工作，短短七年，硅衬底LED技术实现了从实验室到产业化，从小功率芯片到大功率芯片，从新事物备受质疑到客户肯定的蜕变。

　　硅衬底LED技术路线也是我国目前为止唯一可以与蓝宝石LED技术和碳化硅LED技术“三足鼎立”的路线，拥有国际国内200多项公开或授权专利(其中中国专利授权36项，美国欧盟日本等授权20多项)。同时，硅衬底LED技术获得了国家领导人和各部委的高度肯定和大力支持，获批了国家硅衬底半导体照明工程技术研究中心以及固态光源国家地方联合工程研究中心。晶能光电围绕硅衬底LED技术开发出了一批新产品，并储备了一批技术成果。

　　晶能光电于2012年6月12日发布硅衬底大功率LED芯片产品量产，在半导体照明行业引起了巨大的反响。2012年12月，“硅衬底氮化镓基LED材料及大功率器件”荣获2012年国家工信部信息产业重大技术发明，这是国家对硅衬底LED技术的高度肯定与支持。同时，晶能光电实现硅衬底大功率LED芯片量产事件被国际半导体照明联盟(ISA)评为“全球半导体照明2012年年度新闻”事件，这是全球LED行业专家对硅衬底大功率LED芯片量产对于LED行业具有重要意义的肯定。而硅衬底LED芯片也不负重望，性能提升神速，从2012年6月发布的45mil芯片120lm/W，到2012年年底130-140lm/W;55mil的芯片更是达到140-150lm/W，提升幅度近20%，市场反响强烈，优良的可靠性和良好的性价比得到越来越多客户的认可。

　　硅衬底大功率LED芯片是垂直结构，和传统的蓝宝石衬底LED芯片相比具有以下优势：1、电流分布更均匀，可用大电流驱动;2、硅衬底比蓝宝石衬底散热好，芯片光衰更小;3、采用无损剥离方法，消除了产品衬底和发光材料层之间的结构应力，产品可靠性更好;4、采用倒装技术，正面发光，具有朗伯发光形貌，出光均匀，容易二次配光;并适合荧光粉直涂技术直接做成白光芯片，降低封装成本;5、打线少，可靠性高;6、可采用导电银胶，焊锡或共晶焊等多种方法封装; 7、适合于陶瓷基板封装，易于实现大功率封装自动化。

　　硅衬底LED的特点使其在以下细分市场具有比较优势：

　　发光形貌好的特点，使之在汽车大灯、手机闪光灯、室内高质量的射灯等领域具有比较优势;可靠性好的特点，使之在路灯、隧道灯等使用环境恶劣的户外领域具有比较优势。

　　硅衬底LED芯片具有自主知识产权，可以为LED产品出口欧美市场提供专利保护，适合出口型企业使用。

　　硅衬底LED技术路线更易实现自动化大规模生产。蓝宝石衬底技术在从2寸转向6寸、 8寸时技术壁垒非常高， 生产成本不降反升。 但对于硅衬底LED技术，从2寸转向6-12寸衬底时比较容易，采用大尺寸硅衬底具有成本低的优势，并可以大幅度提高LED产线的自动化程度和生产效率， 降低LED产品的综合成本。举例来说，2寸硅衬底可以得到1000多颗45mil芯片，如果用6寸硅衬底就可以得到10000多颗45mil芯片，工艺大致相同的条件下，6寸的有效产出是2寸的10倍以上，价格亦可大幅下降。目前，我们在6寸硅衬底LED技术上取得了突破性的进展， 6寸硅衬底LED芯片量产后将为LED产业带来新一轮的成本下降风暴。

　　一直以来，我们始终坚持认为硅衬底LED技术是未来LED技术的发展趋势并为之奋斗。从目前国际诸多LED大企业纷纷投入研究的动向可以看出，硅衬底LED技术正受到业界的追捧，越来越多的厂家加入到了硅衬底LED研究的行列。可喜的是，我们先走了一步，已经完成了专利的布局，尤其是产业化方面，我们更是积累了丰富的经验。