LayTec于IWN推出最新的Pyro 400
摘要： 自1999年以来，德国LaTec已售出第1000套原位测量设备。在美国Tampa举办的国际氮化物研讨会(IWN 2010)上，LayTec的Kolja Haberland博士在题为“针对薄膜工艺的原位光学测量系统”报告中指出，其最新的原位工具Pyro 400结合EpiCurve TT传感器成功应用于AIXTRON行星式反应器当中。图1展示了LED生长过程中炉压随温度的变化。
图1. 因炉压(p)变化导致LED生长过程中温度的变化。
在标准的GaN生长条件和标准压力下(2)，pocket temperature温度及中心的晶片温度控制得很好，当改变工艺条件时，如降低炉压及提高工艺温度，则晶片温度会下降20K低于pocket温度，而这些变化用传统的计量法是无法测出的。原因在于，载气从pocket运行至晶片其传热效果变差。因此，对于器件生长过程的温度控制而言，理解和控制这种效果是至关重要的;事实上，也仅有Pyro 400能测试出来。
图2. Pyro 400线扫描测量：不同生长步骤(见图1)整片晶片的温度分布。
图2展示了在不同生长环节整块晶片的温度分布，依照特定的生长条件：
1、生长前：Pyro 400展示了蓝宝石裸片上pocket的平面温度曲线;
2、GaN缓冲层生长：晶片中心因翘曲的原因比边缘要热;
3、超晶格生长：炉压的降低以及热量从pocket传至晶片，使得中心温度下降;
4、多量子阱生长：平整的晶片获得趋于水平的温度曲线。
LayTec表示，具有紫外感知功能的Pyro 400可直接测量GaN表面的温度，让生长表面的温度变化暴露在阳光之下，这点传统的测温设备是做不到的。
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