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【科普】第三代半导体SiC技术的崛起

2015-01-07 作者: 来源:新世纪LED网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 第一代半导体材料Si点燃了信息产业发展的“星星之火”,而Si材料芯片也成就了“美国硅谷”高科技产业群,促使英特尔等世界半导体巨头的诞生,95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由Si材料制作。

  9. SiC材料应用在通信领域,可显著提高信号的传输效率和传输安全及稳定性;

  10. SiC材料可使航空航天领域,可使设备的损耗减小30%-50%,工作频率高3倍,电感电容体积缩小3倍,散热器重量大幅降低。

  2014年伊始,美国总统奥巴马亲自主导成立了以SiC为代表的第三代宽禁带半导体产业联盟。这一举措的背后,是美国对以SiC半导体为代表的第三代宽禁带半导体产业的强力支持。据了解,这个产业目前已经获得美国联邦和地方政府总计1.4亿美元的合力支持。而早在2013年日本政府就将SiC纳入“首相战略”,认为未来50%的节能要通过它来实现,创造清洁能源的新时代。

  正如美国总统奥巴马在该产业联盟成立大会上所提到,以SiC为代表的第三代半导体技术将可使笔记本电脑适配器的体积减少80%,也可以将一个变电站的体积缩小至一个手提箱的大小规格。或许,这正是SiC半导体的魅力之所在。

  未来,由半导体SiC材料制作成的功率器件将支撑起当今节能技术的发展趋向,成为节能设备最核心的部件,因此半导体SiC功率器件也被业界誉为功率变流装置的“CPU”、绿色经济的“核芯”。

  信息来源1:国家半导体照明工程研发及产业联盟

  信息来源2:中国宽禁带功率半导体产业联盟

  信息来源3:《科技日报》2014年4月18日星期五第7版整版“破解转型难题:谁来担当重任-碳化硅产业崛起与经济大省转型”

  信息来源4:第十三届全国MOCVD学术会议,南京大学郑有炓院士,《第三代半导体材料面临的发展机遇与挑战》

  配图来源:除以上4个信息来源之外,部分图片来自百度搜索与搜狗搜索,仅作示意之用

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