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2014国产LED芯片有望“翻身做主”

2014-08-19 作者: 来源:元器件交易网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 在LED照明产业的不断渗透下,LED芯片的市场需求量也是不持续上扬。今年7月份,华灿光电(300323,股吧)和聚建光电先后发布了2014年上半年业绩报告,前者净利润预增185%-215%,后者净利润预增247%-270%。而且市场需求仍在扩大,预计下半年净收利润还会上升。

  在LED照明产业的不断渗透下,LED芯片的市场需求量也是不持续上扬。今年7月份,华灿光电(300323,股吧)和聚建光电先后发布了2014年上半年业绩报告,前者净利润预增185%-215%,后者净利润预增247%-270%。而且市场需求仍在扩大,预计下半年净收利润还会上升。

  就在8月6日,东芝计划投资300亿~500亿日元大举进军白色LED业务,目的是通过扩大生产规模来提高市场份额。在全球LED芯片销售排行上,日本日亚化学、美国CREE以及德国OSRAM移居前三甲,前十名中仅有中国台湾晶电与光磊榜上有名,大陆产商无一席之地。

  今年,LED芯片市场已一扫前几年低迷状态,持续需求旺盛的态势让国产芯片迎来“翻身”的最佳良机。但是在面对外来品牌在本土LED芯片市场咄咄逼人的高姿态,国产LED芯片生产商以何反击、如何“翻身”呢?

  提高技术实力是缩小差距的最好“武器”

  众所周知,芯片是LED的核心部件。但是中国芯片,给人的印象一直都是重产量不重质量。目前,LED芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶元生长技术。现在市场上的主流衬底材料是蓝宝石和碳化硅,但是这两种材料价格都非常昂贵,且都被外国大企业所垄断。

  为了突破国际专利壁垒,中国研究机构和LED企业已经以硅为衬底材料着手研究。因为硅衬底的价格比蓝宝石和碳化硅衬底便宜得多,可制作出尺寸更大的衬底,提高MOCVD的利用率,从而提高管晶产率。

  但问题是,硅与氮化镓的高质量结合是LED芯片的技术难点,两者的晶格常数和热膨胀系数的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂纹等技术问题长期以来阻碍着中国芯片领域的发展。除了晶能光电在2011年成功实现2英寸硅衬底氮化镓基大功率LED芯片的量产外,中国芯片企业在硅衬底氮化镓基LED研究上并无大的突破。

  但是反观国外企业,欧司朗、美国普瑞、日本莎姆克等一流企业已经在大尺寸硅衬底氮化镓基LED研究上取得重大突破。其中,在2011年,美国普瑞在8英寸硅衬底上研发出高光效氮化镓基LED,取得了与蓝宝石及碳化硅衬底上顶尖水平的LED器件性能相媲美的发光效率160lm/W;在2012年,欧司朗成功生产出6英寸硅衬底氮化镓基LED。

  因此,中国LED企业要想在LED市场扩张自己的一亩三分地,提高自身实力是当务之急。

  抓住扩产机遇,加快LED品牌布局

  近年来,LED企业借助各种机会进行品牌宣传的意识越来越强烈,LED照明跨入了打造“品牌”的时代。而品牌的建立,并非是靠一个策划、一个包装、一个概念等捷径一蹴而就,而需要长期的坚持,坚持品质,坚持服务。

  为了更好树立企业品牌形象以及宣传介绍品牌产品,照明企业建立起直营专卖店、LED照明体验厅等,通过这些载体更加直观、实在的宣传自己LED照明产品。特别是在各大企业纷纷布局渠道的时代,经销商也更愿意选择有品牌、质量好、口碑好的产品,品牌也成为企业能否顺利打开代理市场的重要因素之一。但品牌建设是一个持久的过程,犹如酿酒,这也需要LED照明企业在品牌的建设上长久持续的加大力度。

  综合来说,2014年面对LED市场的“饥渴”需求,国产LED企业迎来了摆脱“配角”标签的最佳机遇。如能在技术上更进一步,无疑对品牌知名度的建立将起到重大推动作用。那时,国产LED芯片在自家地盘“翻身做主”也绝非天方夜谭。

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