抢夺3D晶片先机 三星、东芝角力战
摘要： 在NAND Flash晶片市场各据一方的东芝与叁星电子，为了在新一代3D记忆体晶片市场抢得先机，近日正加紧研发脚步，盼能抢先对手一步突破48层技术门槛并开始量产。
在NAND Flash晶片市场各据一方的东芝与三星电子，为了在新一代3D记忆体晶片市场抢得先机，近日正加紧研发脚步，盼能抢先对手一步突破48层技术门槛并开始量产。
NAND Flash晶片是目前普遍应用于智慧型手机与PC的记忆体晶片，由三星主导全球市场，其次是市占率第2的东芝。但随着NAND Flash晶片技术逼近最高极限，叁星、东芝早已开始研发新一代记忆体晶片技术。
相较于2D记忆体晶片的单层结构，3D记忆体晶片能靠多层结构大幅扩充记忆体容量。
以东芝为例，该公司目标在2019会计年度(2019年4月起)前製造出容量1TB的3D记忆体晶片，相当于目前2D记忆体晶片最大容量的16倍。
然而，眼前两家公司的3D记忆体晶片技术仍在研发阶段。据业界人士透露，东芝与三星各自研发的3D记忆体晶片技术已在去年达到24层技术门槛，且预计今年升级至32层技术。
但一名东芝高层透露，「现阶段量产3D记忆体晶片没有意义」，因为采用32层技术的3D记忆体晶片生产成本还太高，价格竞争力不及目前最高规格的2D记忆体晶片。
观察家认为东芝及三星都立志在明年突破48层技术门槛，一旦突破就会立刻量产，因此在这个节骨眼只要其中一家公司研发进度领先，就可望主导日后的3D记忆体晶片市场。
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