台积电明年资本支出高过百亿美元
摘要： 为取得先进制程领导地位，半导体大厂接续展开投资竞赛。台积电今年拉高资本支出至95到100亿美元，市场推估，因应扩厂需求，明年资本支出可望增加2至5成，高过百亿美元，可望超越英特尔(Intel)，半导体设备厂有机会启动营运成长。
为取得先进制程领导地位，半导体大厂接续展开投资竞赛。台积电今年拉高资本支出至95到100亿美元，市场推估，因应扩厂需求，明年资本支出可望增加2至5成，高过百亿美元，可望超越英特尔(Intel)，半导体设备厂有机会启动营运成长。
外资券商摩根大通指出，台积电第4季营运动能虽趋缓，但2014年受惠苹果A8处理器的订单、更多客户选择进入更先进的20纳米制程、IDM大厂竞争者在14纳米量产时程上可能递延等三项有利因素，挹注台积电营运。
台积电20纳米制程将于2014年初量产，16纳米可望2015年初接棒量产。摩根大通认为，台积电今年在28纳米的HKMG(高介电常数金属闸极)制程市占率持续领先，预估明年在苹果大单撑腰下，加上既有客户高通也会转进20纳米制程，20纳米市占率也将大有进展。
台积电开出先进制程产能，首先受惠的是材料代理商崇越、华立。
崇越代理信越矽晶圆、深紫外光阻液等材料，特别是深紫外光阻液的出货量随着台积电28纳米产能不断成长，已成为崇越营收重要来源;华立代理的JSR光阻、化学机械研磨液(CMP)等产品，成功进入台积电20纳米制程指定供应品，并加入16纳米finfet的研发。
随着台积电加速转进20、16纳米脚步，华立半导体材料产品线成长动能也相当强劲。
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