【新世纪LED网讯】2013年6月10日上午，在“2013新世纪LED高峰论坛”技术峰会III“外延芯片技术及设备材料最新趋势”专题分会上，中山大学佛山研究院王钢 教授发表了“基于氧化锌(ZnO)透明导电薄膜的蓝光LED芯片技术”的主题演讲。

中山大学佛山研究院王钢教授

　　在演讲中，王钢教授介绍了两个部分氧化锌导电薄膜的技术，并重点介绍了未来能够得到高质量的氧化锌导薄膜，接着他向我们介绍了最新研究成果。

　　王钢教授介绍道：LED效率主要体现在三个部分——LED蓝光的效率、封装的效率，以及光谱的效率，现在大部分厂商主要关注在如何提高LED的芯片光效技术，整个技术为了提升光效，提高热效率，光效率、内量效率，光效。

　　接着他讲到，芯片为了解决电流的问题，要用一个透明导电薄膜，这是一个很重要的技术，通电导电薄膜和半导体有一个接触，重点是解决接触的问题。

　　这么多年国内外包括韩国、台湾、都在寻求ITO的替代金属，氧化锌是能够替代ITO的透明导电薄膜。ITO有高透光率、可靠性、无毒，为什么解决不了氧化锌的透明导电薄膜，是产业化大规模生产的问题。07、08年我们追踪了，包括台湾、三星一些相关的企业用各种方法都在做ITO。除了MOCVD的技术以外，都解决不了MOCVD值便高。

　　我们知道我们做氧化锌透明导电薄膜和氮化物怎么更好的结合，我的观念一定是外延。

　　我们为了制作氧化锌透明导电薄膜，我们的设备还是比较复杂的机台，我们采取MOCVD的性质，我们针对可控性、稳定性关键技术，全部进行自主设计。包括控制和软件都是国产的设备，采用垂直结构，为什么把第一台机器做的这些复杂，我们是兼容MOCVD，一旦国产化以后可以很快切换过程。

　　设备里包括控制系统、包括对整个感应强的流体进行了一个模拟，我们下了很大功夫，我们氧化物的反映和氮化物不一样，我们在模拟的时候，不仅仅模拟了它的空气场、流体场，我们把划分反映的公式带进来，可以初步看到生产的结果。

　　量产的机台，我们在空气中开装备片生产，都不会影响机器的稳定性，我们在整个量产机台已经简化了。氧化锌我们可以做到和ITO一样简单，这个设备实际上有订单了，这是设备的情况。

　　生长的材料，内单晶实际上是一个纳米晶。透光率我们可以通过厚度来调，这个组率在18.78以下，这是材料的特性。

　　透明导电薄膜不是一个单晶模式，大致包括三个结构，首先是一个三层，还有一个电流拓展情况。氧化锌透明导电薄膜在平坦表面，外面没有透明导电薄膜，我们的界面是完美，我们可以做很厚很薄。我们的氧化锌用MOCVD来做的的话，可以一部做到，把透明导电薄膜从芯片工艺的技术做到一个系统。

　　大家知道表面的外延结构，其实用ITO很难在表面做透明导电薄膜，我们用氧化锌在外面结构上得到，可以控制外延生长，在表面上做芯片来讲，我觉得这项技术比ITO有很大的优势。

　　我们在1030这种小芯片我们可以做到3.0以下的，我们关注芯片结果，在大电流的情况下得到提升，我们在做结构上的接近，如果20毫安的驱动降低到50毫安，我想这是降成本很大的成功。小电流提升40%左右，我们基本上用比较好的芯片在1030这个芯片结构上可以做到。

　　最后，他认为：通过我们在外延、在设备，我们可以认为ITO可以被氧化锌替代，从设备上我们也开发了自己全国产化的设备，成本还是比较低，还有用MOCVD技术得到非常好的结果。氧化锌透明导电薄膜这项技术已经准备好了。