剑桥大学CCS系统实现6英寸硅晶片生长氮化镓
2013-04-24
作者：
来源：中关村在线
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摘要： 据爱思强称，剑桥大学该套6x2英寸的CCS系统将配置为可以处理一片6英寸(150毫米)的晶片，实现在6英寸硅晶片上生长氮化镓外延，继续推进剑桥大学在LED和电子设备方面的研发和实践。
德国爱思强股份有限公司(Aixtron)于4月18日宣布，剑桥大学(University of Cambridge)在材料科学与冶金系的新设施中成功完成另一套多晶片近耦合喷淋头®(CCS) MOCVD反应器的调试工作。
爱思强总经理托尼·皮尔斯(Tony Pearce)表示：“爱思强与剑桥大学已经有很长时间的合作，此前剑桥大学向我们订购一套反应器，这次又获得增购另一套CCS研究系统，这也让我们十分自豪。剑桥大学研究小组已成功发展了一套世界领先的硅基氮化镓生产工艺，我们期待看到这套新系统为他们的研发工作再助一臂之力。”
据爱思强称，剑桥大学该套6x2英寸的CCS系统将配置为可以处理一片6英寸(150毫米)的晶片，实现在6英寸硅晶片上生长氮化镓外延，继续推进剑桥大学在LED和电子设备方面的研发和实践。
英国剑桥大学氮化镓中心不仅拥有氮化物半导体生产能力，还是全球为数不多同时配备电子显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜、光致发光(PL)和霍尔效应设备等多种先进表征设施的研究中心。 此外，该研发小组还拥有在氮化物半导体材料物理性质基本理论领域的专家。
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