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浅析芯片发展瓶颈 高亮度LED芯片硅衬底渐成主流

2013-04-12 作者: 来源:esmchina 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 高亮度LED主要分为红外光的GaAs体系和AlGaAs体系,红、橙、黄、绿色的AlGaInP体系,绿色和蓝色的InGaN体系,以及紫外光的GaN和AlGaN体系。目前InGaN体系的蓝光光效已经较高,再结合四元系的红黄光,已经开始广泛地应用于照明、背光、显示、交通指示灯等领域。

  高亮度LED主要分为红外光的GaAs体系和AlGaAs体系,红、橙、黄、绿色的AlGaInP体系,绿色和蓝色的InGaN体系,以及紫外光的GaN和AlGaN体系。目前InGaN体系的蓝光光效已经较高,再结合四元系的红黄光,已经开始广泛地应用于照明、背光、显示、交通指示灯等领域。紫外光LED有着广阔的市场应用前景,半导体紫外光源在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大应用价值。红外光LED主要包括峰值波长从850nm到940nm的红外LED,广泛应用于遥控器、驱动器、电脑鼠标、传感器、安全设备和显示器背光等领域,红外LED需求持续增长的驱动力主要来源于家用电器、安全系统和无线通讯产品等。

  白光应用是蓝光LED芯片的重要市场,也是最为重要的发展方向,其采用蓝光芯片加YAG黄色荧光粉从而形成白光光源。目前,国际LED大厂在大功率蓝光芯片方面有着较为明显的优势,而国内LED芯片企业目前主要是在中小功率蓝光芯片方面有较大的发展,但由于前几年的过度投资引起了产能过剩,导致中小功率蓝光芯片市场出现了较为严重的“价格战”。对于蓝光LED芯片而言,主要的发展方向为硅基LED芯片、高压LED芯片、倒装LED芯片等。对于中小功率LED芯片市场而言,目前主流市场的趋势为0.2-0.5W市场,封装形式包括2835、5630以及COB封装等。对于其它细分领域,如垂直结构的芯片,封装后可以应用于指向性照明应用,如手电、矿灯、闪光灯、射灯等灯具产品中。

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