中科院研究的LED材料及芯片关键技术取得突破性发展
摘要： 由 “十一五”国家863计划新材料领域项目支持，中国科学院半导体研究所承担的“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”创新团队项目课题近日顺利通过验收。
应中国节能减排的重大需求，“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”创新团队建成了从半导体照明重大装备、材料外延、芯片开发到高效大功率封装及测试分析的完整柔性半导体照明工艺平台，具有灵活的研发能力与工程化示范能力。
近日，该创新团队在中国率先突破以氮化物为主的半导体外延材料生长及掺杂、芯片结构设计及机理验证、测试及封装等关键技术，实现了150lm/w以上的 LED高效发光;成功制备了中国首个300nm以下室温荧光发光的深紫外UVLED器件，并实现了器件功率的毫瓦级输出;研制开发了中国首台48片 MOCVD样机，经第三方检测，设备外延的氮化镓材料，各项性能指标达到同类国际MOCVD设备的水平。
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