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新纳晶王怀兵:上游要多关注下游发展

2012-12-28 作者:chocolate 来源:新世纪LED网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 快速扩张引发的迅速膨胀,库存所带来的危机,产业结构的失衡,核心技术的缺失,价格战,倒闭潮……变动的时局,艰难的抉择,2013年,LED行业到底路往何方?重重围困下,LED人到底该如何变革,如何突击?针对这些问题,新世纪LED网采访了苏州新纳晶光电有限公司王怀兵总经理。

新世纪LED网(以下简称为“新世纪”):2012年新纳晶的经营状况怎么样?

  王怀兵总经理(以下简称为“王总”):按照既定的战略规划正常运营发展中。LED企业正在精确自己的市场定位,不断整合产业链和优化产品线来增强产品性价比;通过已有的销售网络进行重点扶持,追求以点到面的市场占有率高速发展。

访谈嘉宾:苏州新纳晶光电有限公司总经理王怀兵

  新世纪:有专家预测:明年国内上游厂家将仅存10家。对此,您如何看?

  王总:LED产业从2000年发展到今天,一直呈现量增价跌态势,外延厂家从十年前的四家发展到今天的四十家,2005年就有专家预言要“洗牌”,到目前也没发生,根本原因是LED照明这个前景还在。

  新世纪:企业感觉面临的最大挑战来自哪方面呢?

  王总:企业感觉面临的最大挑战是产品价格居高不下,主要原因是下游配套产业没跟上,LED照明规模化难以形成,公司未来目标是把成本从8降到4美金/千流明。

  新世纪:新纳晶怎么设计技术路线呢?

  王总:LED多芯片串接封装是未来的趋势,LED驱动芯片是一款非常有前景的产品,可使LED灯具成本下降10%,但在串接数量和方式上要仔细考量。AC LED成本和点亮效果上并不合适,不能成为主流方式,甚至可以说不具实际应用意义。

  新世纪:目前业内出现非蓝宝石基GaN外延技术,包括Si基,SiC基等,他们各自的优势是什么呢?

  王总:用Si作GaN衬底,虽然使LED的制造成本大大降低,也解决了专利垄断问题,然而与蓝宝石和SiC相比,在Si衬底上生长GaN更为困难,因为这两者之间的热失配和晶格失配更大。SiC单晶材料的制备非常困难,且成本高,面积小,使它的实用化受到了很大的限制。我认为,非蓝宝石基衬底和4寸蓝宝石衬底都只是探索一种新的衬底材料,采用何种原材料最终是由产品性价比决定的。

  新世纪:新年的计划是什么呢?

  王总:目前LED产业的下游(终端产品)在技术、理念上与上游(芯片)脱节,上游玩技术游戏,下游玩成本游戏。

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