LED蓝光之父中村修二：氮化物衬底LED发展现状暨前景
摘要： 在“2012亚洲LED高峰论坛”CTO技术交流大会——LED最新技术问题与解决之道：LED芯片、封装的技术及工艺管理专题分会上，LED蓝光之父、美国加州大学圣芭芭拉分校中村修二教授就重点阐明了氮化物衬底LED发展现状暨前景。
2012年6月10日上午，在“2012亚洲LED高峰论坛”CTO技术交流大会——LED最新技术问题与解决之道：LED芯片、封装的技术及工艺管理专题分会上，LED蓝光之父、美国加州大学圣芭芭拉分校中村修二教授就重点阐明了氮化物衬底LED发展现状暨前景。
对于衬底材料的研发仍是LED技术界关注的重点。高功率蓝色发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和全波段InN-GaN等，将会引发新的、更加大的商机，例如，光存储、光通讯等。实现高功率蓝色发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和全波段InN-GaN实用化，并且达到其商品化，这需要合适的衬底材料。因此，GaN材料及器件发展，需要寻找到与GaN匹配的衬底材料，进一步提高外延膜的质量。 科技发展越来越需要把不同体系的材料结合到一起，即称之为异质结材料。应用协变衬底可以将晶格和热失配的缺陷局限在衬底上，并且为开辟新的材料体系打下基础。已提出了多种协变衬底的制备技术，例如，自支撑衬底、键合和扭曲键合、重位晶格过渡层，以及SOI和VTE衬底技术等。预计，在今后的10~20年中，大尺寸的、协变衬底的制备技术将获得突破，并且广泛应用于大失配异质结材料生长及其相联系的光电子器件制造。
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