晶能光电赵汉民：硅衬底大功率LED芯片产业化及应用
2012-06-13
作者：ledth
来源：新世纪LED网
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摘要： 2012年6月10日上午，在“2012亚洲LED高峰论坛”CTO技术交流大会“LED最新技术问题与解决之道：LED芯片、封装的技术及工艺管理”专题分会上，晶能光电(江西)有限公司赵汉民博士发表了主题为“硅衬底大功率LED芯片产业化及应用”的主题演讲。
2012年6月10日上午，在“2012亚洲LED高峰论坛”CTO技术交流大会“LED最新技术问题与解决之道：LED芯片、封装的技术及工艺管理”专题分会上，晶能光电(江西)有限公司赵汉民博士发表了主题为“硅衬底大功率LED芯片产业化及应用”的主题演讲。
赵博士的报告首先分别介绍了蓝宝石衬底及硅衬底的优劣势，指明硅衬底具有材料和性能与蓝宝石接近、无裂纹、弯曲度可控制等蓝宝石无法比拟的优势，越来越多地得到认可和青睐。进而赵博士简单介绍了硅衬底LED芯片的制程，随后对2828、3535、4545、5555的硅衬底大功率LED产品的性能、特点以及应用作了详细介绍。赵博士透露，晶能光电的硅衬底产品效率可达120lm/w，这一技术已经从实验室阶段进入量产阶段，并已申请专利保护。
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