随摩尔定律的脚步，半导体市场在2012年将会正式跨入28奈米製程世代。走在市场前端的宜特今宣佈，宜特至2010年已开始佈局，2011年与知名IC设计大厂合作，歷经研究测试，2012年正式突破技术门槛，不仅替客户完成难度极高的28奈米最小线宽修改，且电路除错能力更深入至IC最底层(Metal 1)。

　　宜特观察发现，28奈米是现今市场上各大厂欲跨入的製程，此製程可为IC产品带来更高的效能，更低的能耗，与更轻薄短小的尺寸，相当符合现今行动装置的需求，因此许多大厂纷纷导入。

　　晶圆代工龙头台积电在2011底率先量产28奈米製程产品，并预估今年28奈米製程产品将达到整体营收的10%。市佔率居次的联电近期也传出接获数间大厂的28奈米订单，进入试产阶段。紧追在后的叁星电子及格罗方德(Global foundries)，也各自有其在先进製程上的佈局。

　　不过，28奈米製程亦有技术上的挑战。宜特科技可靠度与FIB工程处副总经理崔革文表示，28奈米在设计与佈局上的复杂度大幅升高，并且很难有一套通用的可製造性设计(Design for manufacture，DFM)模型来确保设计与佈局的正确性，将导致IC设计业者须进行更为频繁的光罩改版，增加时间成本与金钱成本的负担，一套28奈米光罩要价近2亿台币，是40奈米的好几倍，往来重新下光罩亦需一个多月。

　　因此，许多业者採FIB(Focused ion beam，聚焦离子束)线路修改技术，藉此省去光罩改版的时间与金钱成本。崔革文说：「FIB在28奈米产品的除错与验证上势必将扮演更为重要的角色。」

　　FIB工程处经理 许如宏表示，早在2010年，宜特即展开28奈米IC线路修改的研究与佈局，针对最底层(Metal 1)的极小线路作修改测试，并从极小间距中，研究如何设定正确参数将讯号引出，还可利用独有的低阻值连线技术(宜特已有中华民国专利)，克服过大阻值易造成高频讯号的延迟与失真，目前在各个环节上均已完成验证，技术能量已可满足现今所有先进製程产品的除错与验证需求。

　　许如宏进一步指出，工欲善其事，必先利其器，宜特除了拥有技术外，亦在这两年，建造完成国内唯一同时拥有可胜任40奈米与28奈米线路修改的实验室，除了一般的Front-side FIB技术外，亦可支援Back-side FIB线路修改技术。

　　Back-side FIB其塬理是从IC晶片的背面(即硅基材端)来进行线路修改，该相关技术近年来受到高度瞩目，其需求亦日益趋多。特别在连线密度与I/O数都特别高的28奈米製程上，由于需要更多层的金属连线与更高比例的覆晶封装(Flip Chip)形式，也因此，使用Back-side FIB线路修改将成为未来主流。

　　关于宜特科技

　　始创于1994年，宜特科技从 IC 线路除错及修改起步，逐年拓展新服务，包括故障分析、可靠度验证、材料分析与品质保证等，建构完整验证与分析工程平台与全方位服务。客户範围囊括了电子产业上游 IC 设计至中下游成品端。随着绿色环保意识抬头，宜特不仅专注核心服务，并关注国际趋势拓展多元性服务，建置无铅与无卤可靠度验证、化学定量分析与碳足迹温室气体盘查服务，顺利取得多项国际知名且具公信力的机构 ─ 德国 TUV NORD 与英国 BSI 认证。同时在国际大厂的外包趋势下，宜特科技也扮演品牌公司委外製造产品的独立品质验证第叁公证实验室，取得 Motorola、Dell、Cisco与Delphi的可靠度验证资格。进一步资讯请至公司网站http://www.istgroup.com 查询。