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粤陕首开跨省LED产学研对接先河,促LED科技创新

2011-09-09 作者:linsa 来源:新世纪LED网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 以科技为支撑,突破产业发展瓶颈,加强产学研合作,增进企业创新意识,着力提高我国半导体照明产业核心竞争,广东省科技厅、广东半导体照明工程省部产学研创新联盟联合陕西省科技厅、中国民营科技促进会,特在第六届中国民营企业科技产品博览会期间举办广东-陕西半导体照明产学研对接会,并进行民博会半导体照明科技创新成果颁奖仪式。

  对接成果

  五大专家发表精彩演讲,与企业互动

解放军西安通信学院王鸿麟教授发表《大功率LED照明集中供电技术》的演讲

  在广东-陕西半导体照明产学研对接会上,陕西省半导体产业联盟秘书长千学著发表了题为《陕西省半导体照明产业现状》的精彩演讲,指出,该联盟自2008年成立之初拥有23个会员单位,包括企业和研究院所会员,发展到今年8月的138家会员单位,增长速度很快;从产业布局来看,上至蓝宝石、外延芯片到封装、应用,整个产业链也比较完善,但是整体而言,规模偏小,和广东LED企业来讲差距大,但是陕西在科研方面有着独特的优势。因此,千秘书长指出,LED等新兴产业发展最关键的是两个方面:第一、技术创新,当前LED产业技术更新比较快;其次是,市场创新,技术领先不代表市场领先,企业需要进行商业模式的创新,领先市场。

陕西省平板显示技术工程研究中心主任、国家“千人计划”特聘专家赵炜教授正在讲解《白色有机发光二极管的照明应用》

  随后,解放军西安通信学院王鸿麟教授关于《大功率LED照明集中供电技术》的演讲,引起与会人员的广泛兴趣。在演讲中,王教授重点介绍了他们在大功率LED照明集中供电技术上所取得的成果以及一些具体的实用案例等。而西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系、国家千人计划特聘专家云峰教授则发表了《垂直结构第三代半导体照明芯片设计发展趋势》的演讲,为与会人员详细介绍了垂直结构LED芯片结构、工艺、技术特点、优势以及产业化之路,并对LED芯片技术进行展望,指出了未来LED 芯片技术的5大发展方向:高电流密度下效率下滑的物理机制和解决方案;非极性和准极性材料的制备和生长工艺突破;纳米三维外延结构上设计高效LED器件;大尺寸衬底和廉价硅衬底上制作高效发光器件;利用GaN体材料衬底生长低缺陷密度高质量外延结构。

  此外,陕西省平板显示技术工程研究中心主任、国家“千人计划”特聘专家赵炜教授重点对《白色有机发光二极管的照明应用》进行了讲解,指出了OLED用于照明的优劣势,而西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室副主任张进成教授则详细介绍了《半导体照明用氮化镓基外延材料与LED器件结构技术》。会议现场,专家与企业进行畅快交流,气氛热烈。

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