【ALLS视频】范广涵：LED外延工艺及设备新发展
2011-08-08
作者：LEDth
来源：新世纪LED网
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摘要： 2011年6月11日，“亚洲LED照明高峰论坛 -- 外延芯片技术与工艺和外延设备和材料”专题分会在广州琶洲展馆B区8号会议厅南厅举行。来自华南师范大学范广涵教授发表了《LED外延工艺及设备新发展》的专题演讲。
范广涵教授在他的演讲中首先指出当前LED大规模生产所面临的技术问题有efficiency drop，极化场作用，与衬底晶格失配，进一步提高内量子效率等。针对上述问题，范教授接着例举了目前世界上最新的LED外延技术发展如下：
1、LED衬底研发：GaN同质衬底;非极性面衬底：企图在非极性Si衬底上进行发展，在Si衬底上插入Al2O3，改善晶体质量和发光;Al2O3插入层;图形衬底：向纳米量级的图形衬底探索突破，蓝宝石纳米图形衬底明显优于传统蓝宝石衬底;大尺寸衬底···
2、横向过生长新发展——解决失配性问题，提高效率。在GaN层上形成SiO2和孔列阵，再加一层GaN，改善外延质量，提高光输出功率近50%;法国非对称横向过生长技术，明显提高GaN薄膜质量;瑞士嵌入SiO2光子准晶技术;利用GaN纳米线进行外延，光输出功率是传统的3倍···
……
现场演讲视频：
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